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IPC045N10N3X1SA1

IPC045N10N3X1SA1 - Infineon Technologies

品番: IPC045N10N3X1SA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IPC045N10N3X1SA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: IPC045N10N3X1SA1.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 72341 pcs
参考価格: USD 0.3611/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IPC045N10N3X1SA1 詳細な説明

品番	IPC045N10N3X1SA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1A (Tj)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 33µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
Vgs（最大）	-
FET機能	-
消費電力（最大）	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
動作温度	-
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	Sawn on foil
パッケージ/ケース	Die
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
	IPC045N10L3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	詳細
	IPC045N10N3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	詳細