IPB200N15N3 G

IPB200N15N3 G - Infineon Technologies

номер части
IPB200N15N3 G
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB200N15N3 G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
7500 pcs
Справочная цена
USD 1.3634/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB200N15N3 G

IPB200N15N3 G Подробное описание

номер части IPB200N15N3 G
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 150V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1820pF @ 75V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB200N15N3 G