IPB200N15N3 G Подробное описание
| номер части |
IPB200N15N3 G |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
150V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
50A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 90µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
31nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
1820pF @ 75V |
| Vgs (Макс.) |
±20V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
150W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
20 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
PG-TO263-2 |
| Упаковка / чехол |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB200N15N3 G
