IPB200N15N3 G - Infineon Technologies

Numero di parte	IPB200N15N3 G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1820pF @ 75V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IPB200N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3	Dettagli
IPB200N15N3G	Infineon	IPB200N15N3G Infineon N/A New Original Stocks	Dettagli
IPB200N15N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3	Dettagli
IPB200N25N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3	Dettagli
IPB200N25N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3	Dettagli