| номер части | IPB097N08N3 G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 80V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 70A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 100W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 46A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-2 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | подробности |
|
IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | подробности |
|
IPB093N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | подробности |
 |
IPB096N03LAG | INFINEON | IPB096N03LAG INFINEON TO-263 New Original Stocks | подробности |
|
IPB096N03LG | I | IPB096N03LG I TO263 New Original Stocks | подробности |
|
IPB096N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 | подробности |
|
IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | подробности |
|
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | подробности |
|
IPB09N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | подробности |
|
IPB09N03LAG | infineon | IPB09N03LAG infineon TO-263 New Original Stocks | подробности |
