IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB048N06LGATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB048N06LGATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPB048N06LGATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4308 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1 Подробное описание

номер части IPB048N06LGATMA1
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 225nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 7600pF @ 30V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB048N06LGATMA1