| 品番 | IPB048N06LGATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 270µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 225nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7600pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.4 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | 詳細 |
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IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 詳細 |
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IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | 詳細 |
