IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB019N06L3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB019N06L3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
70037 pcs
Справочная цена
USD 2.35081/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1 Подробное описание

номер части IPB019N06L3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 166nC @ 4.5V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 28000pF @ 30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB019N06L3GATMA1