| 品番 | IPB019N06L3GATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 196µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 166nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 28000pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
IPB019N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 詳細 |
|
IPB019N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 詳細 |
 |
IPB019N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 | 詳細 |
|
IPB019N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 | 詳細 |
