IPAN60R800CEXKSA1 - Infineon Technologies

номер части	IPAN60R800CEXKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	373pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	27W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 2A, 10V
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220 Full Pack
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPAN60R180P7SXKSA1	Infineon Technologies	CONSUMER	подробности
IPAN60R650CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 600V 9.9A TO220	подробности
IPAN60R800CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 600V 8.4A TO220	подробности