IPAN60R800CEXKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	IPAN60R800CEXKSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	373pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IPAN60R180P7SXKSA1	Infineon Technologies	CONSUMER	Dettagli
IPAN60R650CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 600V 9.9A TO220	Dettagli
IPAN60R800CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 600V 8.4A TO220	Dettagli