FP50R12KT3BOSA1 - Infineon Technologies

номер части	FP50R12KT3BOSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	75A
Мощность - макс.	280W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.5nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FP50R06KE3	INFINEON	FP50R06KE3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FP50R06KE3BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A	подробности
FP50R06W2E3	INFINEON	FP50R06W2E3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FP50R06W2E3B11BOMA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A	подробности
FP50R06W2E3BOMA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 600V 450A	подробности
FP50R07N2E4B11BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A	подробности
FP50R07N2E4BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A	подробности
FP50R07U1E4BPSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A	подробности
FP50R12KE3	INFINEON	FP50R12KE3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FP50R12KE3BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1200V 50A	подробности