FP50R07N2E4BOSA1

FP50R07N2E4BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
FP50R07N2E4BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE VCES 600V 50A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FP50R07N2E4BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
2135 pcs
Справочная цена
USD 77.061/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FP50R07N2E4BOSA1

FP50R07N2E4BOSA1 Подробное описание

номер части FP50R07N2E4BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 70A
Мощность - макс. -
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FP50R07N2E4BOSA1