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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FP50R07N2E4BOSA1
FP50R07N2E4BOSA1

FP50R07N2E4BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FP50R07N2E4BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 600V 50A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FP50R07N2E4BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2135 pcs
Referenzpreis
USD 77.061/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FP50R07N2E4BOSA1

FP50R07N2E4BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FP50R07N2E4BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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