FP35R12W2T4B11BOMA1

FP35R12W2T4B11BOMA1 - Infineon Technologies

номер части
FP35R12W2T4B11BOMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE 1200V 35A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FP35R12W2T4B11BOMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3100 pcs
Справочная цена
USD 53.1/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FP35R12W2T4B11BOMA1

FP35R12W2T4B11BOMA1 Подробное описание

номер части FP35R12W2T4B11BOMA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 54A
Мощность - макс. 215W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FP35R12W2T4B11BOMA1