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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FP35R12W2T4B11BOMA1
FP35R12W2T4B11BOMA1

FP35R12W2T4B11BOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FP35R12W2T4B11BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 35A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FP35R12W2T4B11BOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3100 pcs
Referenzpreis
USD 53.1/pcs
Unser Preis
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FP35R12W2T4B11BOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FP35R12W2T4B11BOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 54A
Leistung max 215W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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