FF200R17KE4HOSA1

FF200R17KE4HOSA1 - Infineon Technologies

номер части
FF200R17KE4HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FF200R17KE4HOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
1382 pcs
Справочная цена
USD 118.962/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FF200R17KE4HOSA1

FF200R17KE4HOSA1 Подробное описание

номер части FF200R17KE4HOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация 2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 310A
Мощность - макс. 1250W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FF200R17KE4HOSA1