FF200R12KE4PHOSA1 - Infineon Technologies

номер части	FF200R12KE4PHOSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200A
Мощность - макс.	-
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	14nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FF200R06KE3HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 600V 200A	подробности
FF200R12KE3	INFINEON	FF200R12KE3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FF200R12KE3B2HOSA1	Infineon Technologies	MOD IGBT MED PWR 62MM-1	подробности
FF200R12KE3HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 200A	подробности
FF200R12KE4HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1200V 200A	подробности
FF200R12KE4PHOSA1	Infineon Technologies	MOD IGBT MED PWR 62MM-1	подробности
FF200R12KS4	INFINEON	FF200R12KS4 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FF200R12KS4HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 200A	подробности
FF200R12KS4PHOSA1	Infineon Technologies	MOD IGBT MED PWR 62MM-1	подробности
FF200R12KT3	INFINEON	FF200R12KT3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности