FF150R12ME3GBOSA1 - Infineon Technologies

номер части	FF150R12ME3GBOSA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Single Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200A
Мощность - макс.	695W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	10.5nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FF150R12KE3B8BOSA1	Infineon Technologies	MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6	подробности
FF150R12KE3G	EUPEC	FF150R12KE3G EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FF150R12KE3GB2HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 150A	подробности
FF150R12KE3GHOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 150A	подробности
FF150R12KS4	INFINEON	FF150R12KS4 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FF150R12KS4HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 150A	подробности
FF150R12KT3G	INFINEON	FF150R12KT3G INFINEON MODULE New Original Stocks	подробности
FF150R12KT3GHOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 150A	подробности
FF150R12ME3G	EUPEC	FF150R12ME3G EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FF150R12ME3GBOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 150A	подробности