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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › FF150R12ME3GBOSA1
FF150R12ME3GBOSA1

FF150R12ME3GBOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
FF150R12ME3GBOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FF150R12ME3GBOSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1695 pcs
Prezzo di riferimento
USD 97.018/pcs
Il nostro prezzo
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FF150R12ME3GBOSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte FF150R12ME3GBOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200A
Potenza - Max 695W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 10.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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