F475R12KS4B11BOSA1

F475R12KS4B11BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
F475R12KS4B11BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
F475R12KS4B11BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
1390 pcs
Справочная цена
USD 118.306/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку F475R12KS4B11BOSA1

F475R12KS4B11BOSA1 Подробное описание

номер части F475R12KS4B11BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100A
Мощность - макс. 500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ F475R12KS4B11BOSA1