F475R12KS4B11BOSA1

F475R12KS4B11BOSA1 - Infineon Technologies

品番
F475R12KS4B11BOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 600V 75A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1390 pcs
参考価格
USD 118.306/pcs
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F475R12KS4B11BOSA1 詳細な説明

品番 F475R12KS4B11BOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100A
電力 - 最大 500W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3.75V @ 15V, 75A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 5.1nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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