DF11MR12W1M1B11BPSA1 Подробное описание
номер части |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
2 N-Channel (Dual) |
Функция FET |
Silicon Carbide (SiC) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
1200V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
50A (Tj) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
22.5 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5.55V @ 20mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
124nC @ 15V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
3680pF @ 800V |
Мощность - макс. |
20mW |
Рабочая Температура |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Chassis Mount |
Упаковка / чехол |
Module |
Пакет устройств поставщика |
AG-EASY1BM-2 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DF11MR12W1M1B11BPSA1