DF11MR12W1M1B11BPSA1 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
50A (Tj) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
22.5 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
5.55V @ 20mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
124nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3680pF @ 800V |
| Leistung max |
20mW |
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Chassis Mount |
| Paket / Fall |
Module |
| Lieferantengerätepaket |
AG-EASY1BM-2 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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