DDB6U100N16RRBOSA1 - Infineon Technologies

номер части	DDB6U100N16RRBOSA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	-
конфигурация	Single Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	50A
Мощность - макс.	350W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.2V @ 20V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.3nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DDB6U100N16R	INFINEON	DDB6U100N16R INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
DDB6U100N16RRBOSA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3	подробности
DDB6U104N16RR	EUPEC	DDB6U104N16RR EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
DDB6U104N16RRB37BOSA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE ECONO2-7	подробности
DDB6U104N16RRBOSA1	Infineon Technologies	DIODE MODULE GP 1600V 25A	подробности
DDB6U104N16RRPB37BPSA1	Infineon Technologies	BRIDGE RECT 3P 1.6KV 35A ECONO2	подробности
DDB6U104N18RRBOSA1	Infineon Technologies	DIODE MODULE GP 1800V	подробности
DDB6U134N16RRB11BPSA1	Infineon Technologies	IGBT DDB6U134N16RRB11BPSA1	подробности
DDB6U134N16RRBOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1600V 134A	подробности
DDB6U144N16RBOSA1	Infineon Technologies	DIODE MODULE GP 1600V	подробности