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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › DDB6U100N16RRBOSA1
DDB6U100N16RRBOSA1

DDB6U100N16RRBOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DDB6U100N16RRBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DDB6U100N16RRBOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2097 pcs
Referenzpreis
USD 78.408/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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DDB6U100N16RRBOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DDB6U100N16RRBOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 350W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 20V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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