BSZ900N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSZ900N15NS3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	150V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	510pF @ 75V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	38W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSZ900N15NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8	подробности
BSZ900N15NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8	подробности
BSZ900N20NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON	подробности
BSZ900N20NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON	подробности