BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ900N15NS3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSZ900N15NS3GATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
329747 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.49932/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSZ900N15NS3GATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 75V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 38W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSZ900N15NS3GATMA1