BSZ520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSZ520N15NS3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	150V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	890pF @ 75V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	57W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	BSZ520N15NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON	подробности
	BSZ520N15NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON	подробности