BSZ520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSZ520N15NS3GATMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	BSZ520N15NS3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 75V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	57W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	BSZ520N15NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON	Dettagli
	BSZ520N15NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON	Dettagli