BSZ120P03NS3EGATMA1 Подробное описание
| номер части |
BSZ120P03NS3EGATMA1 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
P-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
11A (Ta), 40A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.1V @ 73µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
45nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
3360pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) |
±25V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
12 mOhm @ 20A, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
PG-TSDSON-8 |
| Упаковка / чехол |
8-PowerTDFN |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSZ120P03NS3EGATMA1
