| номер части | BSZ0904NSI |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Ta), 18A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | Schottky Diode (Body) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8-FL |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON | подробности |
|
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON | подробности |
|
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON | подробности |
|
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | подробности |
|
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | подробности |
|
BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | подробности |
|
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | подробности |
|
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | подробности |
|
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | подробности |
 |
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | подробности |
