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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › BSZ0904NSI
BSZ0904NSI

BSZ0904NSI - Infineon Technologies

Numero di parte
BSZ0904NSI
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSZ0904NSI Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2195 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3386/pcs
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BSZ0904NSI Descrizione dettagliata

Numero di parte BSZ0904NSI
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta), 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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