русский
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

BSM50GAL120DN2HOSA1

BSM50GAL120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

номер части: BSM50GAL120DN2HOSA1
производитель: Infineon Technologies
Краткое описание: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: BSM50GAL120DN2HOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 2372 pcs
Справочная цена: USD 69.349/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

BSM50GAL120DN2HOSA1 Подробное описание

номер части	BSM50GAL120DN2HOSA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	-
конфигурация	Single Switch
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	78A
Мощность - макс.	400W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.3nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSM50GAL120DN2HOSA1