BSM50GAL120DN2HOSA1

BSM50GAL120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM50GAL120DN2HOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2372 pcs
Prix ​​de référence
USD 69.349/pcs
Notre prix
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BSM50GAL120DN2HOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM50GAL120DN2HOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Single Switch
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 78A
Puissance - Max 400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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