BSM30GP60BOSA1 - Infineon Technologies

номер части	BSM30GP60BOSA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	-
конфигурация	Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	50A
Мощность - макс.	180W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	300nA
Входная емкость (Cies) @ Vce	1.6nF @ 25V
вход	Three Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSM300D12P2E001	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 1200V 300A	подробности
BSM300GA120DLC	EUPEC	IGBT-Modules	подробности
BSM300GA120DLCHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	подробности
BSM300GA120DLCSHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	подробности
BSM300GA120DN2	INFINEON	BSM300GA120DN2 INFINEON n/a New Original Stocks	подробности
BSM300GA120DN2HOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	подробности
BSM300GA120DN2SFE3226	EUPEC	BSM300GA120DN2SFE3226 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
BSM300GA170DLC	EUPEC	BSM300GA170DLC EUPEC Standa.. New Original Stocks	подробности
BSM300GA170DLCHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	подробности
BSM300GA170DN2HOSA1	Infineon Technologies	MODULE IGBT 1700V	подробности