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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › BSM30GP60BOSA1
BSM30GP60BOSA1

BSM30GP60BOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSM30GP60BOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSM30GP60BOSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1690 pcs
Prezzo di riferimento
USD 97.315/pcs
Il nostro prezzo
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BSM30GP60BOSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSM30GP60BOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Potenza - Max 180W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max) 300nA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V
Ingresso Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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