BSC12DN20NS3GATMA1 Подробное описание
номер части |
BSC12DN20NS3GATMA1 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
200V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
11.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
125 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 25µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
8.7nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
680pF @ 100V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
50W (Tc) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PG-TDSON-8 |
Упаковка / чехол |
8-PowerTDFN |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC12DN20NS3GATMA1