BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies

品番	BSC12DN20NS3GATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 25µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	8.7nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	680pF @ 100V
FET機能	-
消費電力（最大）	50W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	BSC12DN20NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON	詳細
	BSC12DN20NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON	詳細