| номер части | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2800pF @ 15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
BSC0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | подробности |
|
BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | подробности |
|
BSC0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | подробности |
|
BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | подробности |
|
BSC0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | подробности |
|
BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | подробности |
|
BSC0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | подробности |
|
BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | подробности |
|
BSC0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | подробности |
|
BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | подробности |
