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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › BSC0901NSATMA1
BSC0901NSATMA1

BSC0901NSATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC0901NSATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSC0901NSATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
306480 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.53723/pcs
Notre prix
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BSC0901NSATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSC0901NSATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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