BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSC014NE2LSIATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSC014NE2LSIATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
241470 pcs
Справочная цена
USD 0.68186/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1 Подробное описание

номер части BSC014NE2LSIATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 33A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2700pF @ 12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC014NE2LSIATMA1