| номер части | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 25V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2700pF @ 12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
BSC014N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | подробности |
 |
BSC014N03LSG | INFINEON | BSC014N03LSG INFINEON TSON-8 New Original Stocks | подробности |
|
BSC014N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | подробности |
|
BSC014N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | подробности |
|
BSC014N03MSG | INFINION | BSC014N03MSG INFINION TDSON-.. New Original Stocks | подробности |
|
BSC014N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | подробности |
|
BSC014N04LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 | подробности |
|
BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 | подробности |
|
BSC014N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | подробности |
 |
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | подробности |
