| Número de pieza | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
BSC014N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | Detalles |
 |
BSC014N03LSG | INFINEON | BSC014N03LSG INFINEON TSON-8 New Original Stocks | Detalles |
|
BSC014N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | Detalles |
|
BSC014N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | Detalles |
|
BSC014N03MSG | INFINION | BSC014N03MSG INFINION TDSON-.. New Original Stocks | Detalles |
|
BSC014N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | Detalles |
|
BSC014N04LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 | Detalles |
|
BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 | Detalles |
|
BSC014N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | Detalles |
 |
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Detalles |
