| номер части | BSB014N04LX3 G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 196nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 16900pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Упаковка / чехол | 3-WDSON |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON | подробности |
|
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | подробности |
|
BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON | подробности |
|
BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | подробности |
|
BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | подробности |
|
BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | подробности |
|
BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | подробности |
|
BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | подробности |
|
BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | подробности |
|
BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | подробности |
