BSB012NE2LXIXUMA1

BSB012NE2LXIXUMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSB012NE2LXIXUMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSB012NE2LXIXUMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
33058 pcs
Справочная цена
USD 0.7722/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSB012NE2LXIXUMA1

BSB012NE2LXIXUMA1 Подробное описание

номер части BSB012NE2LXIXUMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 170A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5852pF @ 12V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика MG-WDSON-2, CanPAK M™
Упаковка / чехол 3-WDSON
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSB012NE2LXIXUMA1