BFP193WE6327HTSA1 - Infineon Technologies

номер части	BFP193WE6327HTSA1
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	12V
Частота - переход	8GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Усиление	13.5dB ~ 20.5dB
Мощность - макс.	580mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	70 @ 30mA, 8V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	80mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SC-82A, SOT-343
Пакет устройств поставщика	PG-SOT343-4
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BFP193	INF	BFP193 INF SOT-14.. New Original Stocks	подробности
BFP193E6327	INFINEON	BFP193E6327 INFINEON RCS/14.. New Original Stocks	подробности
BFP193E6327HTSA1	Infineon Technologies	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4	подробности
BFP193T	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFP193TRW	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFP193TW	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFP193T_08	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFP193W	Infineon	BFP193W Infineon SOT343 New Original Stocks	подробности
BFP193WE6327	INFINEON	BFP193WE6327 INFINEON SOT-34.. New Original Stocks	подробности
BFP193WE6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343	подробности