BFP193WE6327HTSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BFP193WE6327HTSA1
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen	13.5dB ~ 20.5dB
Leistung max	580mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 30mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	80mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-82A, SOT-343
Lieferantengerätepaket	PG-SOT343-4
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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