GD25Q16CNIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

номер части	GD25Q16CNIGR
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NOR
Размер памяти	16Mb (2M x 8)
Частота часов	120MHz
Время цикла записи - слово, страница	50µs, 2.4ms
Время доступа	-
Интерфейс памяти	SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка	2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	8-USON (4x3)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GD25-15P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	подробности
GD25-15P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	подробности
GD25-19P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	подробности
GD25-19P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	подробности
GD25-24P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	подробности
GD25-24P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	подробности
GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25D05CKIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45	подробности
GD25D05CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности