| номер части | MURTA600120 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 300A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 2.6V @ 300A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Three Tower |
| Пакет устройств поставщика | Three Tower |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | подробности |
|
MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | подробности |
|
MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | подробности |
|
MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | подробности |
