MURT10060R - GeneSiC Semiconductor

номер части	MURT10060R
Статус детали	Active
Конфигурация диода	-
Тип диода	Standard, Reverse Polarity
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	600V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	100A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.7V @ 100A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	75ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	25µA @ 50V
Рабочая температура - Соединение	-40°C ~ 175°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Three Tower
Пакет устройств поставщика	Three Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MURT10005	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER	подробности
MURT10005R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER	подробности
MURT10010	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER	подробности
MURT10010R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER	подробности
MURT10020	GeneSiC Semiconductor	DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER	подробности
MURT10020R	GeneSiC Semiconductor	DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER	подробности
MURT10040	GeneSiC Semiconductor	DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER	подробности
MURT10040R	GeneSiC Semiconductor	DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER	подробности
MURT10060	GeneSiC Semiconductor	DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER	подробности
MURT10060R	GeneSiC Semiconductor	DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER	подробности