MUR2X100A12 - GeneSiC Semiconductor

номер части	MUR2X100A12
Статус детали	Active
Конфигурация диода	2 Independent
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	100A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	2.35V @ 100A
скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	25µA @ 1200V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MUR20005CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER	подробности
MUR20005CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER	подробности
MUR20010CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MUR20010CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MUR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER	подробности
MUR20020CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER	подробности
MUR20040CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER	подробности
MUR20040CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER	подробности
MUR20060CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER	подробности
MUR20060CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER	подробности